Samsung Memory 三星 LPDDR2进入35nm制程
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- 日期 : 2018-08-06
由于平板电脑与智慧型手机的普及化，使用高效能处捚器的这些行动装置必需使用LPDDR2的Mobile DRAM，才能展现出高效率的执行速度及HD、Full HD的画质，因此被市场大为看好，LPDDR主要供应商之一的三星已投入35nm制程的技术，生产新一代的4Gb LPDDR2。
4Gb LPDDR2除了传输速度从46nm制程的2Gb LPDDR2由800Mbps提升到1066Mbps之外，由于单颗内存芯片的容量增加及制程进步，使得8Gb LPDDR2的封装，厚度从原本旧制程的1.1mm可以缩小为0.8mm，而作业时的电源功耗还能减少17%，系统闲置时更能减少40%。
三星35nm LPDDR2规格简介
- JEDEC标准封装
- 速度: 800/1066Mbps
- 容量: 4Gb, 8Gb, 16Gb
- Burst Length: 4, 8, 16
- VDD/VDDQ电压: 1.2V/1.2V
4Gb LPDDR2除了传输速度从46nm制程的2Gb LPDDR2由800Mbps提升到1066Mbps之外，由于单颗内存芯片的容量增加及制程进步，使得8Gb LPDDR2的封装，厚度从原本旧制程的1.1mm可以缩小为0.8mm，而作业时的电源功耗还能减少17%，系统闲置时更能减少40%。
三星35nm LPDDR2规格简介
- JEDEC标准封装
- 速度: 800/1066Mbps
- 容量: 4Gb, 8Gb, 16Gb
- Burst Length: 4, 8, 16
- VDD/VDDQ电压: 1.2V/1.2V
