Samsung (Memory) 次世代SAMSUNG Toggle DDR NAND Flash
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- 日期 : 2018-08-06
Toggle DDR1.0 NAND的接口速度达到133 Mbps，这已经是现今SDR NAND (40 Mbps)超过3倍的传输速率，而Toggle DDR 2.0的最大传输速度更提升至400Mbs，是Toggle DDR 1.0技术的3倍，更是现有SDR NAND FLASH传输速度的10倍。使用Toggle DDR NAND的智慧型手机、平板电脑中所储存的影片、照片、音乐等播放速度将会更上一层楼。
Toggle DDR NAND的使用1.8V和 3.3V的电源，而相较于目前SDR NAND只支援3.3V的供电，更低的电压能降低电源功率的消耗，达到省电的效果。
三星将在64Gb MLC NAND首次使用Toggle DDR 2.0技术。新的NAND将可应用到新一代4G智慧手机和SATA III的6Gbps SSD及USB3.0随身碟。
Toggle DDR NAND的使用1.8V和 3.3V的电源，而相较于目前SDR NAND只支援3.3V的供电，更低的电压能降低电源功率的消耗，达到省电的效果。
三星将在64Gb MLC NAND首次使用Toggle DDR 2.0技术。新的NAND将可应用到新一代4G智慧手机和SATA III的6Gbps SSD及USB3.0随身碟。
